一种电迁移测试结构
授权
摘要
本申请提供一种电迁移测试结构，包括：测试金属线以及位于所述测试金属线同层、且均匀间隔分布设置在所述测试金属线周边的突起监测线，以及，位于所述测试金属线下方，且与所述测试金属线通过导电通孔电性连接的散热结构，所述散热结构用于将所述测试金属线上产生的热量散发出去。本实用新型中通过在测试金属线下方设置与测试金属线电性连接的散热结构，通过散热结构加快测试金属线的焦耳热散发，从而降低半导体芯片中的焦耳热聚集导致的温度，避免高温对测试结果造成影响，使得测试结果更加准确。
基本信息
专利标题 ：
一种电迁移测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020024765.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-06
授权号 ：
CN210743940U
授权日 ：
2020-06-12
发明人 ：
王志强李宁曦韩坤
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
温可睿
优先权 ：
CN202020024765.X
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2020-06-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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