一种硅片级电迁移测试加热器结构

专利权的终止

摘要

本发明一种硅片级电迁移测试加热器结构，在器件衬底层与第一层金属之间的介质层中、或各层金属之间的介质层中，埋设金属钨线，金属钨线引出电极，形成钨加热器结构。该钨加热器可对金属互连线或通孔/接触孔进行加热，这样金属互连线或通孔/接触孔抗电迁移能力评价便可直接在硅片上进行，测试时间缩短到小时以内。钨加热器可以添加到每一层金属连线或接触孔/通孔/通孔串下方或旁边，方便而准确地为之升温；而本发明的钨加热器结构制作简单，完全可以和目前集成电路制造工艺兼容，节省成本并加快新工艺开发进度。

基本信息

专利标题：

一种硅片级电迁移测试加热器结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1996590A

申请号：

CN200510003371.6

公开（公告）日：

2007-07-11

申请日：

2005-12-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

万星拱

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司

申请人地址：

201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

王洁

优先权：

CN200510003371.6

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544