本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电迁移测试结构及其形成方法、电迁移测试方法、存储器。所述电迁移测试结构包括存储区域和位于所述存储区域外部的外围区域；所述电迁移测试结构还包括：测试层，连续分布于所述存储区域和所述外围区域；互连结构，位于所述存储区域，包括互连层和半导体层，所述互连层的一端连接所述测试层、另一端连接所述半导体层；监控结构，位于所述外围区域，连接所述测试层且分布于所述互连层的相对两外侧，用于监控所述测试层的电阻变化。本发明避免了所述互连结构内部的电阻对所述测试层电阻监测的影响，提高了电迁移测试结果的准确度和可靠性。