一种电容测试结构及其形成方法，所述形成方法，提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成阱区，所述阱区掺杂有第一类型的杂质离子；在所述半导体衬底中形成包围所述阱区的隔离掺杂区，所述隔离掺杂区掺杂有第二类型的杂质离子，所述第二类型与第一类型相反；在所述阱区中形成电容测试器件。由于隔离掺杂区将所述阱区包围，且由于隔离掺杂区中掺杂的杂质离子与阱区和半导体衬底掺杂的杂质离子类型相反，从而使得阱区与隔离掺杂区外侧的半导体衬底之间不会直接接触或者被隔离，在对电容测试结构进行电容的测试时，能防止阱区与半导体衬底直接接触时外部电路的寄生电容对电容测试结果的影响，从而提高电容测试结果的准确性。