一种PIP电容的形成方法
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摘要
本发明提供了一种PIP电容的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上具有器件区域和电容区域；在所述衬底上依次形成第一多晶硅层、层间介质层和第二多晶硅层；在所述器件区域上进行刻蚀使所述第一多晶硅层形成浮栅及使所述第二多晶硅层形成控制栅，同时在所述电容区域上进行刻蚀使所述第一多晶硅层形成第一电极以及所述第二多晶硅层形成第二电极；形成金属连接线连接所述第一电极以及所述第二电极。在本发明提供的PIP电容的形成方法中，通过对第一多晶硅层、层间介质层和第二多晶硅层的同步刻蚀，可同时形成浮栅和控制栅的器件结构以及第一电极和第二电极的PIP电容结构，不需要增加额外的工艺及步骤即可以形成PIP电容，提高芯片对于设计面积的利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种PIP电容的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109065717A
申请号 ：
CN201810882431.3
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2018-08-06
授权号 ：
CN109065717B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
曹子贵
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
屈蘅
优先权 ：
CN201810882431.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/11531
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2019-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20180806
申请日 : 20180806
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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