MIM电容及其形成方法
公开
摘要
本发明提供一种MIM电容及其形成方法，通过在电容上下极板与具有高介电常数的电容介质层之间设置至少一层介质缓冲层，作为高介电常数介质层与上下极板之间的缓冲过渡层，能提供良好的接触界面，降低高介电常数介质层材料带来的高应力以及高应力导致的层间分层缺陷，提高电容击穿电压，从而提高整个电容结构的可靠性，同时维持较高的电容密度，满足高性能芯片的需求。
基本信息
专利标题 ：
MIM电容及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613754A
申请号 ：
CN202011424986.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张拥华李朝勇贺忻李明王保
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011424986.7
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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