MIM电容的导线通孔形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种MIM电容的导线通孔形成方法，包括交替形成金属线层和绝缘层，所述绝缘层的数量与所述金属线层的数量相同，且数量至少为2，刻蚀所述绝缘层和所述金属线层，以形成暴露所述金属线层部分顶面的通孔，且一层所述金属线层对应至少一个所述通孔，在所述通孔内形成隔离介质层，刻蚀所述隔离介质层，以暴露所述通孔对应的金属线层，在所述通孔内形成金属导电层，以形成MIM电容，一次性形成所有通孔，无需进行多次光刻，减少了光刻次数，从而降低了工艺复杂度和成本。
基本信息
专利标题 ：
MIM电容的导线通孔形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551346A
申请号 ：
CN202210170772.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄子伦
申请人 ：
苏州聚谦半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖路328号创意产业园21-A401-001单元
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202210170772.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
