铜导线的形成方法
授权
摘要
本发明提供的铜导线的形成方法，包括：提供基底层；在基底层的第一表面上中形成开口；在开口的表面形成铜籽层；从基底层的第一表面对铜籽层加热，以使铜籽层团聚在开口中形成铜导线，从而能够避免在对铜籽层加热时出现衬底温度升温过快导致衬底弯曲量较大的情况，避免后续出现衬底容易碎裂的情况，进而提升铜导线形成过程中的产能效率和工艺稳定性。
基本信息
专利标题 ：
铜导线的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113078068A
申请号 ：
CN202110309302.7
公开（公告）日 ：
2021-07-06
申请日 ：
2021-03-23
授权号 ：
CN113078068B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
黄驰张育龙王永平曾海
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
远明
优先权 ：
CN202110309302.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20210323
申请日 : 20210323
2021-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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