多晶硅电迁移测试结构
授权
摘要
本申请实施例公开了一种多晶硅电迁移测试结构，包括介质体、多晶硅单元、温度探测单元以及连接结构，多晶硅单元与温度探测单元均设置于介质体内，且二者间隔设置；连接结构与温度探测单元连接并延伸至介质体表面；在对多晶硅单元进行电迁移测试时，由于大电流会导致多晶硅单元产生焦耳热，使得温度探测单元的温度变化，通过外部检测装置与连接结构连接，获取温度探测单元的电阻，根据电阻与温度的对应关系即可获知此时温度探测单元的温度，并可将温度探测单元的温度作为多晶硅电迁移的测试温度；即可监控多晶硅单元电迁移测试过程中的温度，准确计算温度加速因子，进而得出多晶硅单元的电迁移寿命。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅电迁移测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122355199.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
CN216670175U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
王志强
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京恒博知识产权代理有限公司
代理人 ：
张琦
优先权 ：
CN202122355199.8
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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