一种多晶硅压阻系数测试结构
授权
摘要
一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆，测试结构的基底件，腔体为长方体结构，内部保持有一定压力，密封的腔体中的压力是已知的。本实用新型的优点：本实用新型所述的多晶硅压阻系数测试结构，在MEMS传感器领域中，实现了精准有效的测试多晶硅的压阻系数，解决了传统方案的不足，提升了精度和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶硅压阻系数测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021224220.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-29
授权号 ：
CN213023334U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
黄向向杨敏洛伦佐·贝尔蒂尼莱昂纳多·萨尔代利关健
申请人 ：
罕王微电子（辽宁）有限公司
申请人地址 ：
辽宁省抚顺市经济开发区北厚西出口21#楼（一层）
代理机构 ：
沈阳晨创科技专利代理有限责任公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202021224220.X
主分类号 ：
G01R27/02
IPC分类号 ：
G01R27/02 B81B7/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
