半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体器件，包括：第一介质层，第一介质层内具有第一窗口；第一连通结构，位于第一窗口内；第二介质层，位于第一介质层上，第二介质层具有第二窗口，第二窗口至少显露部分第一连通结构；第一阻挡层，位于第二窗口的侧壁及底部，第一阻挡层包括开口，开口显露第一连通结构；第二连通结构，位于第二窗口内。上述半导体器件不仅能避免第二连通材料扩散到第一介质层和第二介质层中，而且能提高第一连通结构与第二连通结构之间的电传导效率，提高器件性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020104805.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN211017049U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202020104805.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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