半导体器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种半导体器件，包括：待刻蚀层；牺牲层，形成于待刻蚀层的表面，牺牲层具有开口，开口暴露出部分待刻蚀层的表面；保护层，形成于牺牲层的侧壁表面；侧墙材料层，形成于保护层的表面。上述半导体器件使得线宽进一步缩小成为可能，而且牺牲层侧壁表面的保护层能避免在形成侧墙材料层时等离子体对牺牲层造成损伤，保证牺牲层的完整性，进一步使得形成的保护层和侧墙材料层的尺寸满足工艺要求，使得最终形成的待刻蚀图形的尺寸满足工艺要求，实现图案的精准转移。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921868922.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-01
授权号 ：
CN210575831U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
杨康
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN201921868922.9
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308 H01L21/311 H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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