使用直接写入方式的晶圆修复方法及系统
授权
摘要
本发明是有关于一种使用直接写入方式的晶圆修复方法及系统。该修复晶圆的方法，至少包括在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将缺陷区域的位置与图案传送至一直接写入工具；在半导体晶圆上形成一光阻层；使用一能量光束，在缺陷区域中局部地曝光光阻层；显影半导体晶圆上的光阻层；以及在曝光与显影后，处理光阻层下方的半导体晶圆。该修复晶圆的系统，至少包括：一检查工具，可在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；一直接写入工具，可局部地曝光该半导体晶圆；以及一资讯处理模组，用以在该检查工具与该直接写入工具之间，联系与传输该些缺陷区域的该些位置与图案。
基本信息
专利标题 ：
使用直接写入方式的晶圆修复方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822314A
申请号 ：
CN200610000438.5
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林进祥林本坚高蔡胜
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610000438.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/308 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-02-06 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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