一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备氧化硅掩蔽层及光刻胶；S2、刻蚀掩蔽层形成喇叭形开口；S3、刻蚀衬底形成TSV盲孔；S4、去除衬底光刻胶用SF6气体对掩蔽层进行刻蚀，确保TSV盲孔的侧掏尖角裸露出来；S5、取消刻蚀偏置功率，用SF6气体进行刻蚀掉侧掏尖角形成交界面平滑的TSV盲孔孔壁；S6、去除掩蔽层减薄多余硅衬底形成TSV通孔，在通孔内沉积氧化硅绝缘层、电镀金形成导电通孔，实现晶圆正反面电气信号的连接。本发明的有益效果是：1.避免后续CVD工艺导致介质层缩口的问题；2.避免电镀过程中TSV通孔孔口提前封口造成孔内出现空洞的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420556A
申请号 ：
CN202210069632.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁景兵曹卫达刘阳黄斌常赟陈博
申请人 ：
华东光电集成器件研究所
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号
代理机构 ：
安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨晋弘
优先权 ：
CN202210069632.8
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/308
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
