双面PERC太阳能电池的背面结构刻蚀方法及其刻蚀液
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种双面PERC太阳能电池的背面结构刻蚀方法及其刻蚀液，使晶硅片的背面浸入刻蚀液中，在温度8℃～40℃下刻蚀30s～180s，对晶硅片背面的金字塔形貌结构的塔尖进行刻蚀削平形成四棱台形貌结构。整个刻蚀方法工艺简单，与目前的刻蚀工艺兼容，能对晶硅片背面的金字塔形貌结构的塔尖进行刻蚀削平形成四棱台形貌结构，该四棱台形貌结构的顶面为平面，易于后续钝化膜的沉积，反射率可控，同时兼顾电池的光学和电学性能，得到的双面太阳能电池背面效率高，双面率高；同时所采用的刻蚀液不含氮，有效避免了现有技术酸刻蚀中的硝酸排放，废液处理成本低，对环保压力小，而且原料化学药液成本低，易于获得。
基本信息
专利标题 ：
双面PERC太阳能电池的背面结构刻蚀方法及其刻蚀液
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267580A
申请号 ：
CN202010974812.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈伟刘尧平肖川张小虎王燕杜小龙
申请人 ：
松山湖材料实验室
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
陈培琼
优先权 ：
CN202010974812.1
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L31/18 C09K13/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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