一种太阳能电池硅片的酸抛刻蚀装置
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摘要
本实用新型公开了一种太阳能电池硅片的酸抛刻蚀装置，包括固定座、旋转座、转轴和蚀刻台，所述固定座上表面中心处焊接有旋转座，所述旋转座的内部焊接有轴承，且轴承的内部焊接有转轴，所述转轴的顶端延伸到旋转座的外侧并焊接有蚀刻台，所述蚀刻台底部位于转轴的外侧螺栓固定有气泵，所述蚀刻台上表面开设有条形孔洞，且条形孔洞的内部设置有滑动座。本实用新型中，该太阳能电池硅片的酸抛刻蚀装置，蚀刻台焊接在转轴的顶端，在使用的过程中，打开伺服电机，伺服电机通过齿轮盘和齿圈可以带动转轴转动，转轴可以带动蚀刻台转动，使得蚀刻台的角度可调，便于固定在蚀刻台上的太阳能电池硅片进行角度调节，方便其进行蚀刻作业。
基本信息
专利标题 ：
一种太阳能电池硅片的酸抛刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020828313.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-18
授权号 ：
CN212136393U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
林传金戴亮亮柯雨馨许奕川
申请人 ：
阳光中科（福建）能源股份有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市光电信息产业基地
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN202020828313.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L21/687 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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