太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统
授权
摘要
本实用新型提供了一种太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统，刻蚀设备包括：传输组件；氧化组件，包括臭氧发生装置、气液混合装置和臭氧水反应槽；传输组件用于将太阳能硅片传送至臭氧水反应槽，使太阳能硅片的表面形成氧化膜；水膜组件，设置在氧化组件后方，用于在氧化膜的上表面形成水膜；刻蚀组件，设置在水膜组件后方，用于对太阳能硅片的下表面进行蚀刻；传输组件的传送方向为从前向后。本实用新型所提供的刻蚀设备采用了湿法柔性的方式给太阳能硅片的表面生成一层氧化膜，相比于相关技术中的热氧化设备而言，氧化设备成本低，且无需高温反应降低了能耗，同时缩短了氧化制程，进而提高了太阳能硅片的制备效率。
基本信息
专利标题 ：
太阳能硅片的刻蚀设备和制备系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921581593.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN210628334U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
左国军成旭柯国英任金枝
申请人 ：
常州捷佳创精密机械有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号
代理机构 ：
北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尚志峰
优先权 ：
CN201921581593.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/67
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
