本发明公开了基于Nitride斜坡刻蚀的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底；在GaAs衬底上依次生长的N接触层、NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层和P接触层；Nitride膜，Nitride膜设置在P接触层的表面上，Nitride膜在P接触层上形成呈斜坡状的VIA开窗；P电极，P电极设置在呈斜坡状的VIA开窗处，P电极与P接触层直接接触。通过在VCSEL芯片的结构中设置一个呈平滑斜坡状的VIA开窗，由此保证良好的芯片外观的情形下，使钝化层Nitride开窗的坡度呈现一个平滑斜坡，从而有利于P面蒸镀金属爬台，减少P电极金属断线的可能，增加芯片的可靠性。