一种芯片生产用的湿法刻蚀方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种芯片生产用的湿法刻蚀方法，S1、设备的前期准备；S2、刻蚀输送带带动晶圆输送并停留在托盘上方的刻蚀工位；S3、托盘上升支托晶圆，再由旋转座带动托盘旋转；S4、刻蚀喷淋装置喷淋刻蚀液；S5、晶圆由刻蚀输送带输送至第一输送组件上，再输送至第二输送组件上；S6、当水洗检测传感器检测到晶圆时，喷射水洗装置对晶圆表面喷射超纯水；S8、上游输送装置将晶圆输送至干燥输送装置的干燥工位上，吸水套与晶圆下表面接触吸水干燥；气吹干燥装置对晶圆上表面气吹干燥；S9、下游输送装置将干燥的晶圆送出，该湿法刻蚀方法能够防止晶圆破裂，更彻底的清除晶圆表面残留的刻蚀液，更好的将晶圆彻底干燥，防止水痕产生。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片生产用的湿法刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334724A
申请号 ：
CN202111578425.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
牛立久张雪奎刘增增周一雷徐金鑫
申请人 ：
山东华楷微电子装备有限公司
申请人地址 ：
山东省日照市日照高新区高新六路17号日照智慧微电产业园（高新六路与艳阳路交汇处）
代理机构 ：
苏州金项专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金星
优先权 ：
CN202111578425.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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