一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法，该方法包括：在LED四元芯片的GaP外延层表面涂布正性光刻胶，然后进行曝光、显影、烘烤，在GaP外延层表面保留正性光刻胶的电极图形；采用等离子清洗机清洗打胶；在保留的正性光刻胶电极图形保护下，采用GaP腐蚀液进行腐蚀，制备出P电极的电流扩展通道；本发明的腐蚀方法是针对GaAs基LED外延片电流扩展层GaP的一种专门性腐蚀方法，GaP腐蚀控制稳定性强，根据腐蚀时间即可控制腐蚀深度，操作性强，且对GaAs衬底无腐蚀作用，减少N面的化学污染的影响，且腐蚀GaP电流扩展层电极洞内干净无残留，大大降低了因外观不合格导致的降档。
基本信息
专利标题 ：
一种LED四元芯片GaP外延层的腐蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446776A
申请号 ：
CN202011194921.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王建华魏朝李晓明闫宝华
申请人 ：
山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新区金马路9号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
张宏松
优先权 ：
CN202011194921.8
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/308 H01L33/00 H01L33/14 H01L33/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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