在图案化结构上的定向沉积
授权
摘要
本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
基本信息
专利标题 ：
在图案化结构上的定向沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107039264A
申请号 ：
CN201611177683.3
公开（公告）日 ：
2017-08-11
申请日 ：
2016-12-19
授权号 ：
CN107039264B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
亚历山大·卡班斯凯萨曼莎·坦杰弗里·马克斯潘阳
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN201611177683.3
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2017-09-05 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101745810822
IPC(主分类) : H01L 21/308
专利申请号 : 2016111776833
申请日 : 20161219
号牌文件序号 : 101745810822
IPC(主分类) : H01L 21/308
专利申请号 : 2016111776833
申请日 : 20161219
2017-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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