一种用于碳化硅外延的隔热罩装置
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型主要应用于半导件外延生长设备,具体涉及一种用于碳化硅外延的隔热罩装置。包括相互套设的内筒与外筒;内筒与外筒之间形成空腔;内筒内设有石墨基座,石墨基座外部套设有石墨毡;外筒外部设有若干感应加热器,感应加热器与石墨基座相连;外筒外部一端底侧与顶侧对开多对开孔,底侧的开孔内设有进水口,顶侧的开口内设有出水口;空腔内下部设有进水分流道,上部设有出水分流道;进水分流道与出水分流道的一端分别通过进水管与出水管连接进水口与出水口,另一端由封板封住;进水分流道与出水分流道均对称设有三路,分流道壁上设有通孔,两侧的分流道上的通孔为单排孔,中间的分流道为对称分布的双排小孔。本实用新型结构简单,设计合理,实现难度不大,维护方便。

基本信息
专利标题 :
一种用于碳化硅外延的隔热罩装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920625832.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-05
授权号 :
CN210085623U
授权日 :
2020-02-18
发明人 :
沈文杰傅林坚周建灿邵鹏飞汤承伟周航潘礼钱
申请人 :
杭州弘晟智能科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号1幢1楼A区03
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
周世骏
优先权 :
CN201920625832.0
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B35/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2021-11-05 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 29/36
登记生效日 : 20211025
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 杭州弘晟智能科技有限公司
变更后权利人 : 浙江求是半导体设备有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 311100 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号1幢1楼A区03
变更后权利人 : 311100 浙江省杭州市余杭区龙船坞路96号2幢3层
变更事项 : 专利权人
变更后权利人 : 浙江晶盛机电股份有限公司
2020-02-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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