一种降低银纳米线导电薄膜方阻的处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种降低银纳米线导电薄膜方阻的处理方法，主要包括以下步骤：(1)将银纳米线导电墨水涂布在基材上，干燥后得到银纳米线导电薄膜；(2)将导电薄膜的银纳米线导电层面经过包含有机物还原剂淋洗液淋洗，再经过水和/或醇溶液淋洗去除残留的还原剂，烘烤后制备得到低方阻的透明导电薄膜。通过在涂布过程中增加对银纳米线导电层的二级淋洗工序，将银纳米线层内部分有机物还原成游离状态的聚合物或单体，然后被流动的淋洗液带走，可降低银纳米线之间的接触电阻从而降低方阻，且有利于银纳米线导电薄膜在下游制程中的搭接性能，此外残留的溶剂在烘烤过程中通过毛细作用增强银纳米线之间的接触，进一步降低导电薄膜的方阻。
基本信息
专利标题 ：
一种降低银纳米线导电薄膜方阻的处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420344A
申请号 ：
CN202210133907.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卞永俊高凤伟高峰周金飞高绪彬潘克菲姜锴
申请人 ：
苏州诺菲纳米科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区青丘街126号青丘工业坊A号厂房
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨慧林
优先权 ：
CN202210133907.X
主分类号 ：
H01B5/14
IPC分类号 ：
H01B5/14 H01B13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B5/00
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
H01B5/14
在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 5/14
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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