半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质。半导体器件的测试方法包括：获取栅极电压与漏极电流的关系曲线；根据栅极电压与漏极电流的关系曲线，获得跨导；根据跨导和栅极电压，获得跨导与栅极电压的关系曲线；根据跨导与栅极电压的关系曲线，获得峰值跨导值和相邻跨导值；确定相邻跨导值与峰值跨导值的比值是否小于预设值；若是，停止测试。采用本公开的半导体器件的测试方法，通过所获得峰值跨导值和与其相邻的跨导值的比值小于预设值，可以准确确定最大跨导值，以能准确根据最大跨导值来确定半导体器件的阈值电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114414974A
申请号 ：
CN202210047617.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邢勇军黄新宇
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
李冬梅
优先权 ：
CN202210047617.3
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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