半导体存储器件及其多位并行测试方法
专利权的终止
摘要

一种半导体存储器件及进行多位并行测试的方法,所述存储器件包含用于读出存储器单元组数据的读出电路;接在数据读出电路和数据总线对之间的驱动器,连接在读出电路和相应数据总线对之间的第一比较器,其输入接到数据总线对而输出可与数据输出缓冲器连接的第二比较器,以及数据选择装置。在正常模式下数据读出电路将来自存储器单元组的多个数据对通过驱动器位送给数据总线对,而在测试模式下数据读出电路将多个数据对送至第一比较器。

基本信息
专利标题 :
半导体存储器件及其多位并行测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1057720A
申请号 :
CN90106619.2
公开(公告)日 :
1992-01-08
申请日 :
1990-07-31
授权号 :
CN1025077C
授权日 :
1994-06-15
发明人 :
安启虎
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道水原市
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
郭伟刚
优先权 :
CN90106619.2
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  G11C29/00  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2010-11-10 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101014885441
IPC(主分类) : G01R 31/26
专利号 : ZL901066192
申请日 : 19900731
授权公告日 : 19940615
终止日期 : 20090831
2002-04-24 :
其他有关事项
1994-06-15 :
授权
1992-07-22 :
实质审查请求已生效的专利申请
1992-01-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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