半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质
实质审查的生效
摘要
本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388385A
申请号 ：
CN202011120582.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁赛嫦杨发森吴佳蒙史波肖婷
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202011120582.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B07C5/36 B07C5/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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