半导体元件测试方法与设备
授权
摘要
本公开提供一种半导体元件测试方法与设备。方法包括：提供一PMOS元件；在预设温度下对PMOS元件的栅极施加时长为Tm的预设负偏压Vn，在撤除预设负偏压后的N个预设时间点测量N个实测阈值电压偏移值，N个预设时间点包括数值最大的第一预设时间点，其中m∈[1,x]，n∈[1,y]，x、y、N分别是第一预设值、第二预设值、第三预设值根据N个实测阈值电压偏移值确定撤除预设负偏压后的第二预设时间点对应的阈值电压恢复值，第二预设时间点小于第四预设值；根据阈值电压恢复值和第一预设时间点对应的实测阈值电压偏移值确定时长为Tm的预设负偏压Vn对应的阈值电压偏移值ΔVthmn。本公开提供的半导体元件测试方法可以提高测量PMOS元件NBTI寿命的准确度。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件测试方法与设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111381140A
申请号 ：
CN201811635005.6
公开（公告）日 ：
2020-07-07
申请日 ：
2018-12-29
授权号 ：
CN111381140B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
胡健熊阳吕康
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁礼君
优先权 ：
CN201811635005.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-07-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20181229
申请日 : 20181229
2020-07-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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