一种半导体的静电防护结构
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种半导体的静电防护结构，涉及半导体技术领域，本实用新型包括半导体，半导体周侧面安装有绝缘防护板，绝缘防护板一表面连接有若干滑块，半导体周侧面设置有滑槽，若干滑块与滑槽位置相适应，且滑块与滑槽滑动配合，半导体上表面设置有上盖板，上盖板表面安装有微型电机，微型电机的输出端连接有驱动轴，驱动轴贯穿上盖板，且驱动轴一端连接有扇叶，半导体表面设置有若干进气口，扇叶与进气口位置相适应，半导体底端安装有集尘槽，本实用新型半导体具备主动防护结构与被动防护结构，分别来源于半导体上端设置的吹风机构以及半导体周侧安装的绝缘防护结构，帮助对半导体进行全方位的静电防护。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体的静电防护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021390099.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-15
授权号 ：
CN212812111U
授权日 ：
2021-03-26
发明人 ：
曹翔杨超兰新涛
申请人 ：
深圳市灿升实业发展有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区横岗街道保安社区简龙街20号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021390099.8
主分类号 ：
H05F3/00
IPC分类号 ：
H05F3/00 B08B5/02 B08B13/00
法律状态
2021-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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