一种高静电防护半导体集成MOS管
授权
摘要

本实用新型公开了一种高静电防护半导体集成MOS管,包括壳体,其特征在于:所述壳体内部安装有内芯,所述内芯底部设置有引脚,所述壳体一侧开设有第一窗口,所述壳体另一侧设置有封板,所述封板和壳体之间通过插接方式相连接,所述第一窗口一侧设置有散热板,所述散热板连接在内芯一侧,所述散热板上均匀固定有散热翅片,所述散热翅片贯穿第一窗口并延伸至外界,所述壳体底部开设有第二窗口,所述引脚延伸至第二窗口外侧,将内芯安装于壳体内部,通过壳体一侧的散热板和内芯之间通过导热胶连接,且两者借助于壳体固定,使内芯加大散热面积,提高散热的效率;通过散热板表面的散热翅片增加散热面积,从而加速内芯的散热效率。

基本信息
专利标题 :
一种高静电防护半导体集成MOS管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122824690.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-18
授权号 :
CN216250704U
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
路尚伟刘立娟王兴超
申请人 :
山东沂光集成电路有限公司
申请人地址 :
山东省临沂市郯城县高科技电子产业园A7栋
代理机构 :
安徽爱信德专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
谌丹
优先权 :
CN202122824690.0
主分类号 :
H01L23/367
IPC分类号 :
H01L23/367  H01L23/60  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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