静电防护结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种静电防护结构。其中，所述静电防护结构包括导电本体和导电凸起，导电本体环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地，所述导电凸起设置于所述导电本体。本实用新型通过在所述导电本体上设置导电凸起，即可通过尖端放电的方式有效消除静电，避免电荷在静电防护结构中大量积累，从而确保芯片的稳定性和安全性。
基本信息
专利标题 ：
静电防护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922109216.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN211404496U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
张志伟
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
黄丽
优先权 ：
CN201922109216.2
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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