一种半导体结构以及静电防护装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体结构以及静电防护装置，包括电路板，所述电路板的顶部固定连接有导热胶，所述导热胶的顶部固定连接有芯片，所述电路板的顶部固定连接有防护罩，所述防护罩的内壁固定连接有屏蔽导电层，所述芯片的两侧均固定连接有导电线，所述导电线远离芯片的一端与屏蔽导电层的内壁固定连接，所述屏蔽导电层的两侧均固定连接有放电板，所述放电板远离屏蔽导电层的一端固定连接有固定板。本实用具备防护效果好的优点，解决了现有的半导体结构以及静电防护装置在使用的过程中，对半导体结构的静电防护效果较差，不便于对半导体结构进行电磁屏蔽，容易造成半导体结构受到静电击穿或损坏的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体结构以及静电防护装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021287592.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-05
授权号 ：
CN212542428U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
何祖辉李志军朱永斌邱嘉龙邱秀华
申请人 ：
浙江天毅半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层
代理机构 ：
北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹玉清
优先权 ：
CN202021287592.7
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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