一种集成高密度静电防护芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种集成高密度静电防护芯片，涉及半导体技术领域，该集成高密度静电防护芯片通过放电沟槽、隔离构成结合N型外延层形成一组纵向二极管结构，PN结采用外延形成，界面在硅体内，缺陷少、漏电小、器件可靠性好，且整个防护芯片形成多组二极管串联结构，降低了寄生电容；沟槽放电面积大，提升了单位面积下的放电能力，提高器件的防护性能、减小了器件制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种集成高密度静电防护芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921962651.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-13
授权号 ：
CN210443555U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
范捷万立宏王绍荣
申请人 ：
江苏丽隽功率半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市五湖大道11号蠡湖科创中心南楼1209室
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂启新
优先权 ：
CN201921962651.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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