一种可控硅型静电放电器件及集成电路

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摘要

公开了一种可控硅型静电放电器件及集成电路，该可控硅型静电放电器件以传统LDMOS‑SCR器件为基础，将漏端的N阱区拆分为与该N阱区中的第二P掺杂区和第二N掺杂区相匹配的第一N阱区和第二N阱区，提高了N阱区的寄生电阻，使其在ESD放电电流下的压降提升更快，使寄生PNP管的开启速度更快，提高可控硅型静电放电器件的开启速度，提高了静电放电保护水平。该集成电路包括该可控硅型静电放电器件。本实用新型的可控硅型静电放电器件的结构改进简易，在无工艺成本增加的情况下提升了的可控硅型静电放电器件的开启速度，提升了静电放电防护水平。

基本信息

专利标题：

一种可控硅型静电放电器件及集成电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020759167.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-09

授权号：

CN211858652U

授权日：

2020-11-03

发明人：

胡涛

申请人：

杰华特微电子(杭州)有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020759167.7

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L29/06