一种半导体外延片的击穿电压检测装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体外延片的击穿电压检测装置，属于半导体技术领域。本实用新型的击穿电压检测装置包括交流电源、滑移机构、转盘和探针，转盘与交流电源负极连接，探针与交流电源正极连接，交流电源正极与探针之间设有示波器，探针固定在滑移机构上；滑移机构包括滑移杆和滑移座，滑移杆底端卡接在滑移座的凹槽内，滑移杆能够沿滑移座凹槽移动，实现探针与P型层上表面在径向上接触；转盘底端通过转轴与固定座连接，转盘以转轴为圆心进行转动，实现探针与P型层上表面在周向上接触。本实用新型的检测装置能够快速、直接、无损地检测半导体外延片的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体外延片的击穿电压检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021947782.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-08
授权号 ：
CN212967618U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
王泓江赵德刚
申请人 ：
北京蓝海创芯智能科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区闵庄路42号院1号楼
代理机构 ：
南京智造力知识产权代理有限公司
代理人 ：
张明明
优先权 ：
CN202021947782.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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