半导体器件及其制造方法和有源矩阵显示器

专利权的终止

摘要

一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法和有源矩阵显示器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1560691A

申请号：

CN200410058974.1

公开（公告）日：

2005-01-05

申请日：

1993-08-27

授权号：

CN1560691B

授权日：

2010-05-26

发明人：

山崎舜平张宏勇

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

刘杰

优先权：

CN200410058974.1

主分类号：

G02F1/136

IPC分类号：

G02F1/136 H01L29/786

IPC结构图谱

G部——物理

G02

光学

G02F

用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器

G02F1/00

控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学

G02F1/01

对强度、相位、偏振或颜色的控制

G02F1/13

基于液晶的，例如单位液晶显示单元

G02F1/133

构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置

G02F1/136

结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元，例如形成集成电路部分的液晶单元

法律状态

2013-11-06 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101536330008
IPC(主分类) : G02F 1/136
专利号 : ZL2004100589741
申请日 : 19930827
授权公告日 : 20100526
期满终止日期 : 20130827

2010-05-26 ：

授权

2005-03-09 ：

实质审查的生效

2005-01-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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