显示装置的有源矩阵结构及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及制造显示装置的有源矩阵结构的方法，其具有步骤：a)提供带有大量的行导线(RL)和大量的列导线(SL)的矩阵衬底(MS)，其中，给行导线(RL)之一和列导线(SL)之一之间的每个交点分配穿过矩阵衬底(MS)的通道(D)，用于产生像素，b)在矩阵衬底(MS)上沉积p型硅层(T℃)，c)针对每个像素，在p型硅(TC)中产生n+掺杂区(TB)，该n+掺杂区(TB)从通道出发被设置直至p型硅层(TC)的自由面，并在n+掺杂区(TB)内这样产生p+掺杂区(TE)，使得保留一层n+掺杂区(TB)，和d)在从步骤c)得到的最终结构的自由面上镀有基质层或者有机发光二极管层，该基质具有包含在其内的、电子墨水的粒子。此外还介绍根据该方法制造的有源矩阵结构。
基本信息
专利标题 ：
显示装置的有源矩阵结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825564A
申请号 ：
CN200610071120.6
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
L·马威兹
申请人 ：
西门子公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘春元
优先权 ：
CN200610071120.6
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/32 H01L27/02 G02F1/1362 G02F1/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2021-01-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/82
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20200221
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20200221
2010-12-22 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101055187899
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100711206
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 西门子公司
变更后权利人 : 吉加塞特通信有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国慕尼黑
登记生效日 : 20101112
号牌文件序号 : 101055187899
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利号 : ZL2006100711206
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 西门子公司
变更后权利人 : 吉加塞特通信有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 德国慕尼黑
登记生效日 : 20101112
2009-10-28 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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