具低电压触发双极性晶体管的静电放电防护单元
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种具低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的静电放电(ESD)防护单元，以有效防护集成电路的内部回路免于静电电压的冲击。该静电放电防护单元利用一检测电路，在该电源之高电压端、接地端或针脚输入/输出(I/O)端之间，有效率地触发该低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的触发端如一高掺杂区。当该检测电路的一触发信号触发前述低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的触发端时，即可降低该低电压触发双极性晶体管(LVTBJT)的阈值电压，使该低电压触发双极性晶体管的触发速度加快，以迅速释放该静电电流。
基本信息
专利标题 ：
具低电压触发双极性晶体管的静电放电防护单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1808716A
申请号 ：
CN200510125295.6
公开（公告）日 ：
2006-07-26
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯明道李健铭
申请人 ：
矽統科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹300科学园区研新一路16号
代理机构 ：
上海开祺知识产权代理有限公司
代理人 ：
费开逵
优先权 ：
CN200510125295.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/60 H02H9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-20 ：
实质审查的生效
2006-07-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
