静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法
授权
摘要
本发明提供一种静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法，所述用于静电放电防护的晶体管结构包含有至少两个邻近的晶体管，设置于一基底上。该等晶体管的栅极与源极相互耦接，该等晶体管的漏极相互邻近但分开，作为一个分割的漏极布植结构。该分割的漏极布植结构包含有被一轻掺杂漏极区以及一环布植区所隔开的至少两个漏极布植区。至少该等漏极布植区的其中之一是耦接至一电路的一输出入焊垫。本发明不用增加光罩，可以简化集成电路制造过程、时间、以及成本，同时提供适当的静电放电防护。
基本信息
专利标题 ：
静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881588A
申请号 ：
CN200510109048.7
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄绍璋朱育宏
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510109048.7
主分类号 ：
H01L27/085
IPC分类号 ：
H01L27/085 H01L21/8232
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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