用于静电防护的晶体管结构及其制造方法

授权

摘要

公开一种用于静电防护的晶体管结构及其制造方法，晶体管结构包括：衬底和形成于所述衬底上部的掺杂区；形成于所述衬底表面的多个场氧化层；形成于所述掺杂区上部的依次隔开的第一N型阱区、P型阱区和第二N型阱区；形成于所述衬底表面上的且覆盖部分所述P型阱区的第一多晶硅层和第二多晶硅层；分别形成于所述第一N型阱区和所述第二N型阱区中的第一N+区域和第一P+区域；以及形成于所述P型阱区中的第二N+区域和第二P+区域，其中，所述P型阱区中的所述第二P+区域靠近所述第一N+区域，所述P型阱区中的所述第二N+区域靠近所述第一P+区域。该结构可以改变正向或反向工作时的电流路径，使得器件能保持良好的静电防护能力，鲁棒性高。

基本信息

专利标题：

用于静电防护的晶体管结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111199970A

申请号：

CN202010011508.7

公开（公告）日：

2020-05-26

申请日：

2020-01-06

授权号：

CN111199970B

授权日：

2022-05-10

发明人：

王炜槐陆阳

申请人：

杰华特微电子（杭州）有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司

代理人：

蔡纯

优先权：

CN202010011508.7

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

法律状态

2022-05-10 ：

授权

2021-11-19 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 27/02
变更事项 : 申请人
变更前 : 杰华特微电子（杭州）有限公司
变更后 : 杰华特微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
变更后 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

2020-06-19 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20200106

2020-05-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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