半导体元件及静电放电保护元件
专利权的视为放弃
摘要
一种半导体元件，适用于静电放电保护电路中，此半导体元件包括栅极结构、N型源极区、N型阱区、N型漏极区与N型掺杂区。栅极结构包括栅极与栅极氧化层，其中栅极氧化层配置于栅极与基底之间。N型源极区配置于栅极结构一侧的基底中。N型阱区配置于栅极结构另一侧的基底中。N型漏极区配置于N型阱区与栅极结构之间的基底中，其中N型漏极区具有第一齿状部分，且第一齿状部分位于N型阱区中。N型掺杂区配置于N型阱区中，此N型掺杂区具有第二齿状部分。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及静电放电保护元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979895A
申请号 ：
CN200510129765.6
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
力晶半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129765.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/02
相关图片
法律状态
2010-01-06 ：
专利权的视为放弃
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1979895A.PDF
PDF下载
