利用低压元件排除静电的高压电源静电放电保护电路
专利权的终止
摘要
本发明揭示一种静电放电保护电路，主要包含一堆叠MOS电路，一触发电流产生电路。堆叠MOS电路的目的在于用作静电电流的释放路径；而触发电流产生电路的目的在于产生触发信号以导通堆叠MOS电路，使堆叠MOS电路形成一释放路径以释放静电电压。
基本信息
专利标题 ：
利用低压元件排除静电的高压电源静电放电保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964035A
申请号 ：
CN200510125017.0
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯明道李健铭
申请人 ：
矽统科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区研新一路16号
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
任永武
优先权 ：
CN200510125017.0
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H05F3/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2011-01-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101031687777
IPC(主分类) : H01L 23/60
专利号 : ZL2005101250170
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20091211
号牌文件序号 : 101031687777
IPC(主分类) : H01L 23/60
专利号 : ZL2005101250170
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20081022
终止日期 : 20091211
2008-10-22 ：
授权
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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