一种改善短路特性的碳化硅MOS器件
公开
摘要
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种改善短路特性的碳化硅MOS器件，通过掺杂薄层的设置，当栅压大于阈值电压时，掺杂薄层内形成导电沟道，由于沟道远离阱区与栅氧化层接触面，不受到界面散射，沟道载流子迁移率增加，使器件具有更低的导通电阻。同时通过电流引导层的设置，从掺杂薄层内形成的导电沟道流出的电流实现横向扩展，再进行纵向流动，进一步降低导通电阻。通过夹断层的设置，当器件处于短路状态时，在漏极的高电压作用下，夹断层被耗尽，电流通路减小，器件电阻增加，从而有效限制短路电流密度。本发明的碳化硅MOS器件在实现正常工作状态下低导通电阻的同时，有效降低在短路状态下的电流密度，保护器件不被烧毁。
基本信息
专利标题 ：
一种改善短路特性的碳化硅MOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613849A
申请号 ：
CN202210502977.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-05-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李伟聪姜春亮雷秀芳林泳浩
申请人 ：
深圳市威兆半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
代理机构 ：
北京惟盛达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨青
优先权 ：
CN202210502977.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/78
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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