一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件，包括N+衬底层及交替布置排列在N+衬底层上的若干P柱和N柱，N+衬底层的底部设置有漏极；所述P柱和N柱的顶部设置有一层N外延层，该N外延层上设置有与所述P柱位置和数量对应的P型体区，超结MOSFET器件本体内部分区域的P柱向上延伸并形成外延P柱，该外延P柱穿过N外延层并与对应位置的P型体区连接以保持相同电位；所述P型体区的顶部设置有一层介质层，介质层的顶部设置有分别与P柱及外延P柱位置对应的源极金属层及第一金属层，介质层内设置有若干连接孔，所述外延P柱与原胞的源极金属层之间正向串联或反向串联有至少一个二极管。
基本信息
专利标题 ：
一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121906875.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-16
授权号 ：
CN216161743U
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
陈雪萌王艳颖钱晓霞汤艺
申请人 ：
上海道之科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区清能路85号
代理机构 ：
杭州九洲专利事务所有限公司
代理人 ：
陈琦
优先权 ：
CN202121906875.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06
法律状态
2022-04-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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