一种改善栅电容特性的超结MOSFET
实质审查的生效
摘要
一种改善栅电容特性的超结MOSFET，包括源极金属层、高掺杂第二类导电类型半导体JFET区、中低掺杂第二类导电类型半导体耗尽区扩展层、中等掺杂第二类导电类型半导体柱区、中高掺杂第二类导电类型半导体耗尽区压缩层、高掺杂第二类导电类型半导体漏区、漏极金属层；本发明在超结MOSFET器件的基础上，在第二类导电类型柱区近JFET端设置低掺杂区域，近缓冲层端设置高掺杂区域，同时设置较高掺杂的薄JFET区保证器件电流能力和栅控能力。本发明使栅漏电容随电压变化的陡变现象得到缓和，在兼顾开关速度的同时，改善了超结器件的EMI特性，提高器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种改善栅电容特性的超结MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464671A
申请号 ：
CN202210370737.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-04-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨国江郭智汪阳
申请人 ：
江苏长晶浦联功率半导体有限公司;江苏长晶科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区浦口经济开发区双峰路69号C-16
代理机构 ：
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 ：
奚铭
优先权 ：
CN202210370737.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220411
申请日 : 20220411
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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