一种改善体二极管特性的超结器件
实质审查的生效
摘要

一种改善体二极管特性的超结器件,由下至上具有:金属化漏极、重掺杂第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体缓冲层及低掺杂第一导电类型半导体缓冲层,第一导电类型半导体外延层和第二导电类型半导体柱构成超结结构,第二导电类型半导体柱向下延伸至低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中且被高掺杂第一导电类型半导体阻挡层所包围,高掺杂第一导电类型半导体阻挡层也位于低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中。本发明在超结柱的底部引入双缓冲层结构和阻挡层结构,有效减慢对漂移区底部的非平衡载流子抽取速度,从而减小器件反向恢复过程中的电流变化率,缓解反向电流的突变,增大了体二极管反向恢复的软度因子,改善器件的EMI特性。

基本信息
专利标题 :
一种改善体二极管特性的超结器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114464672A
申请号 :
CN202210370739.6
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2022-04-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨国江于世珩
申请人 :
江苏长晶科技股份有限公司;江苏长晶浦联功率半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市中国(江苏)自由贸易试验区南京片区研创园腾飞大厦C座13楼
代理机构 :
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 :
奚铭
优先权 :
CN202210370739.6
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06  H01L29/78  
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220411
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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