一种改善体二极管特性的超结器件，由下至上具有：金属化漏极、重掺杂第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体缓冲层及低掺杂第一导电类型半导体缓冲层，第一导电类型半导体外延层和第二导电类型半导体柱构成超结结构，第二导电类型半导体柱向下延伸至低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中且被高掺杂第一导电类型半导体阻挡层所包围，高掺杂第一导电类型半导体阻挡层也位于低掺杂第一导电类型半导体缓冲层之中。本发明在超结柱的底部引入双缓冲层结构和阻挡层结构，有效减慢对漂移区底部的非平衡载流子抽取速度，从而减小器件反向恢复过程中的电流变化率，缓解反向电流的突变，增大了体二极管反向恢复的软度因子，改善器件的EMI特性。