三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺
公开
摘要
在衬底上形成第一晶体管的第一源极/漏极(S/D)结构，并且其位于第一晶体管的第一沟道结构的第一端处。在第一S/D结构的表面上沉积第一替代硅化物层，并且其由第一电介质制成。形成第二电介质以覆盖第一替代硅化物层和第一S/D结构。随后在第二电介质中形成第一互连开口，以露出第一替代硅化物层。用第一替代互连层填充第一互连开口，其中，该第一替代互连层由第三电介质制成。进一步地，对衬底执行热处理。去除第一替代互连层和第一替代硅化物层。在第一S/D结构的表面上形成第一硅化物层。
基本信息
专利标题 ：
三维逻辑器件的反向触点和硅化物工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114450772A
申请号 ：
CN202080067413.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杰弗里·史密斯新实宽明约迪·格热希科维亚克丹尼尔·沙内穆加梅拉尔斯·利布曼苏巴迪普·卡尔坎达巴拉·塔皮利安东·德维利耶
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王萍
优先权 ：
CN202080067413.5
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/3205 H01L21/336 H01L21/74 H01L21/768 H01L21/822 H01L21/8234 H01L21/8238 H01L23/528 H01L23/535 H01L27/06 H01L27/088 H01L27/092 H01L29/423 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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