快速恢复反向半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开一种快速恢复反向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内；所述第一金属引线的焊接端进一步包括第一端面板和位于第一端面板表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一金属引线的第一端面板、第一凸柱与二极管芯片的凸起端通过第一焊片层连接；所述第一金属引线、第二金属引线各自的中部具有一凸缘板，此凸缘板沿周向间隔地开有若干个通孔。本实用新型快速恢复反向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。
基本信息
专利标题 ：
快速恢复反向半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021217856.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN212136427U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
张开航马云洋
申请人 ：
苏州秦绿电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区通安镇华金路258号3栋4楼
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202021217856.1
主分类号 ：
H01L23/49
IPC分类号 ：
H01L23/49 H01L23/492
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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