一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
被视为撤回的申请
摘要
一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺，它是在原有的p-n结合面形成、二氧化硅介质隔离、铬金延伸电极的工艺中，引入阳极氧化法，从而克服了原工艺的缺陷，提高了器件成品率和成品器件的性能，做出了64元多元列阵器件。其改进方法不仅适用于锑化铟材料的器件工艺，也适合在其他材料器件工艺中应用。
基本信息
专利标题 ：
一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108767A
申请号 ：
CN85108767
公开（公告）日 ：
1987-05-20
申请日 ：
1985-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
俞振中陈新强沈寿珍胡文军
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市中山北一路420号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
徐伟奇
优先权 ：
CN85108767
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/72
法律状态
1989-03-15 ：
被视为撤回的申请
1987-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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