锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置。包括单晶炉装置和炉外控制装置，炉外控制装置包括：氢气流量计、氩气流量计、上位机控制装置、压力变送器、控压仪表、电控阀门、机械泵、分子泵前级阀、分子泵。由于本实用新型利用放肩过程中对动态气氛流量的精准控制，并通过缓慢线性的增大动态气氛流量，极大的提高了锑化铟单晶生长过程中的放肩过程持续稳定，晶体的放肩角度光滑连续，对晶体放肩过程的形貌有着较好的调节作用，有助于高质量的锑化铟单晶生长。
基本信息
专利标题 ：
锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021617463.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
CN212293838U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
于凯马林李强王健霍晓青
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请人地址 ：
天津市河西区洞庭路26号
代理机构 ：
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 ：
李美英
优先权 ：
CN202021617463.X
主分类号 ：
C30B15/22
IPC分类号 ：
C30B15/22 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
