高灵敏锑化铟磁敏电位器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型高灵敏锑化铟磁敏电位器，选用电子流迁移力大，灵敏度高的锑化铟半导体材料配合补偿电路，精心设计制作而成。其特征在于轴1下端底盘部装有磁体5，磁体下部对应处装有敏感元10，敏感元下部对应处装有基片9，基片下部对应处装有对好中心的极靴12和补偿电路14。
基本信息
专利标题 ：
高灵敏锑化铟磁敏电位器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90209732.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-07-09
授权号 ：
CN2074056U
授权日 ：
1991-03-27
发明人 ：
浦秀珍吴显峰
申请人 ：
北京市通县福利电子器材厂
申请人地址 ：
101100北京市通县次渠福利电子器材厂
代理机构 ：
北京市专利事务所
代理人 ：
赖定真
优先权 ：
CN90209732.6
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08
法律状态
1998-09-02 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-10-11 ：
专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)
1991-11-13 ：
授权
1991-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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